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我国在纳米材料技术方面取得的突破
2015-03-17 11:23:48来源:元素商城

元素百科资讯频道:本文主要探讨我国在纳米材料技术方面取得的突破。在最新的纳米技术研究领域, 我国取得了重要突破, 如研制出高稳定、可擦写的有机分子纳米存储材料, 存储点尺寸为2nm, 存储密度在1013bit/cm2 ,是传统存储密度的105 倍; 在国际上首次创新提出GaAsSb/ InGaAs 非对称双量子阱结构, 并在实验上获得室温1. 3Lm 发光纳米材料, 在国内首次成功研制出性能良好的1.21-1.28Lm 室温工作边发射激光器。

我国科学家成功地合成了直径最小的碳纳米管; 发现了纳米金属铜的超级延展性。

我国科学家首次大批量地制备出长度为2-3mm 的超长定向碳纳米管阵列, 这种超长碳纳米管比现有碳纳米管的长度提高1-2个数量级。

我国在纳米材料技术方面取得的突破

首次利用碳纳米管作模板成功地制备出直径为3-40nm、长度达Lm量级的发蓝光氮化镓一维纳米棒, 并提出了碳纳米管限制反应的概念。

应用溶胶-凝胶与碳热还原相结合的新方法, 首次合成了碳化钽(TaC) 纳米丝外包覆绝缘体SiO2和TaC纳米丝外包覆石墨的纳米电缆, 以及以SiC 纳米丝为芯的纳米电缆, 当前在国际上仅少数研究小组合成这种材料。

发现了溶剂热合成技术, 首次在3000e左右制成粒度达30nm的氮化镓微晶, 并用非水热合成法, 制备了金刚石纳米粉, 实现了“稻草变黄金”。

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