光电材料包括红外材料、激光材料等，而红外材料主要是红外探测材料和红外透波材料。2,5-二氯噻吩-3,4-二甲酸酐用以制备聚噻吩类光电材料。

红外探测材料

硫化铅、锑化铟、锗掺杂（金、汞）、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料都可以包括进红外探测材料，目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料是锑化铟和碲镉汞，特别是碲镉汞（Hg-Cd-Te）材料，是先进比较成熟而且得到各国主要发展的光电材料。

碲镉汞可以用于近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围，还能具有在光电导、光伏特及光磁电等工作方式下工作的优点，但这种材料化学也有缺点，首先稳定性比较差，其次难以制成大尺寸单晶体，而且大面积均匀性也比较差。碲镉汞现在已经进入了薄膜材料研发、制造和应用的阶段。

为了基本克服碲镉汞的主要缺点，现在国际上也在积极探索新的技术：

使用各种薄膜外延技术来制备大尺寸晶片；

另外寻找或研制新的高性能红外材料来取代碲镉汞（Hg-Cd-Te）；

继续研究并实验具有芯片上处理能力的GgCdTe单片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe（肖特基势垒器件），此三种材料是现今红外探测材料的发展热点和趋势。

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