光电材料包括红外材料、激光材料等,而红外材料主要是红外探测材料和红外透波材料。2,5-二氯噻吩-3,4-二甲酸酐用以制备聚噻吩类光电材料。
红外探测材料
硫化铅、锑化铟、锗掺杂(金、汞)、碲锡铅、碲镉汞、硫酸三甘酞、钽酸锂、锗酸铅、氧化镁等一系列材料都可以包括进红外探测材料,目前军用红外光电系统采用的主要红外探测材料是锑化铟和碲镉汞,特别是碲镉汞(Hg-Cd-Te)材料,是先进比较成熟而且得到各国主要发展的光电材料。
碲镉汞可以用于近红外、中红外、到远红外很宽的波长范围,还能具有在光电导、光伏特及光磁电等工作方式下工作的优点,但这种材料化学也有缺点,首先稳定性比较差,其次难以制成大尺寸单晶体,而且大面积均匀性也比较差。碲镉汞现在已经进入了薄膜材料研发、制造和应用的阶段。
为了基本克服碲镉汞的主要缺点,现在国际上也在积极探索新的技术:
使用各种薄膜外延技术来制备大尺寸晶片;
另外寻找或研制新的高性能红外材料来取代碲镉汞(Hg-Cd-Te);
继续研究并实验具有芯片上处理能力的GgCdTe单片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe(肖特基势垒器件),此三种材料是现今红外探测材料的发展热点和趋势。